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Partie #: MZ-77E2T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00107

isque SSD Samsung 870 EVO de 2 To SATA III, lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s (MZ-77E2T0B/AM

Name: isque SSD Samsung 870 EVO SATA III de 2 T
Brand: SAMSUNG
SKU: SSSAS00107
Price: 259.99 CAD
Availability: InStock
Rating: 5 (8 reviews)

5.0 (8 commentaires)

SAMSUNG

Partie #: MZ-77E2T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00107

isque SSD Samsung 870 EVO de 2 To SATA III, lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s (MZ-77E2T0B/AM

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Le dernier modèle de la série SSD de Samsung est enfin arrivé. Le 870 EVO s'appuie sur la technologie SSD de pointe de Samsung, offrant un rendement, une fiabilité et une compatibilité améliorées pour répondre aux besoins de tous, des créateurs de contenu aux professionnels des TI, en passant par les utilisateurs quotidiens.

Le 870 EVO atteint la vitesse séquentielle maximale limite d'interface SATA de 560/530 Mo/s. Les utilisateurs quotidiens peuvent maintenant profiter d'un rendement SSD de niveau professionnel. La technologie Intelligent TurboWrite accélère les vitesses d'écriture et maintient un rendement élevé à long terme, y compris une mémoire tampon variable de plus grande taille.

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours
Garantie du fabricant	5 ans

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours
Garantie du fabricant	5 ans

Modèle	MZ-77E2T0B/AM
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Interface	SATA III 6 Go/s
Capacité	2 To
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Type NAND	MLC
Série	870 EVO
Garantie	Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 1 200 TBW
Marque	SAMSUNG
Température de fonctionnement	0 - 70 ℃ Température de fonctionnement
Consommation d'énergie (inactif)	Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture séquentielle	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Écriture séquentielle	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Choc	1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
Tension admissible	5 V ± 5 % Tension admissible
Consommation d'énergie moyenne (niveau système)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.<br>

Modèle	MZ-77E2T0B/AM
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Interface	SATA III 6 Go/s
Capacité	2 To
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Type NAND	MLC
Série	870 EVO
Garantie	Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 1 200 TBW
Marque	SAMSUNG
Température de fonctionnement	0 - 70 ℃ Température de fonctionnement
Consommation d'énergie (inactif)	Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture séquentielle	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Écriture séquentielle	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Choc	1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
Tension admissible	5 V ± 5 % Tension admissible
Consommation d'énergie moyenne (niveau système)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.<br>

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